HUF76439P3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
HUF76439P3-HXY
该N沟道场效应管具备60安培漏极电流与60伏漏源击穿电压, 导通电阻仅为11毫欧, 栅源耐压20伏。 低导通阻抗有效减少功率损耗与发热, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统。 在高负载切换场景中, 其参数特性可保障电路稳定运行, 优化能源转换效率并简化散热设计, 满足高性能电子设备对功率器件的严苛要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
23
货期
现货
HUF76439P3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
HUF76439P3-HXY概述
该N沟道场效应管具备60安培漏极电流与60伏漏源击穿电压, 导通电阻仅为11毫欧, 栅源耐压20伏。 低导通阻抗有效减少功率损耗与发热, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统。 在高负载切换场景中, 其参数特性可保障电路稳定运行, 优化能源转换效率并简化散热设计, 满足高性能电子设备对功率器件的严苛要求。
HUF76439P3-HXY特性
暂无产品特性。
HUF76439P3-HXY应用领域
暂无应用领域。
