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HUF76439P3-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

HUF76439P3-HXY

该N沟道场效应管具备60安培漏极电流与60伏漏源击穿电压, 导通电阻仅为11毫欧, 栅源耐压20伏。 低导通阻抗有效减少功率损耗与发热, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统。 在高负载切换场景中, 其参数特性可保障电路稳定运行, 优化能源转换效率并简化散热设计, 满足高性能电子设备对功率器件的严苛要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

23

货期

现货

HUF76439P3-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

HUF76439P3-HXY概述

该N沟道场效应管具备60安培漏极电流与60伏漏源击穿电压, 导通电阻仅为11毫欧, 栅源耐压20伏。 低导通阻抗有效减少功率损耗与发热, 适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统。 在高负载切换场景中, 其参数特性可保障电路稳定运行, 优化能源转换效率并简化散热设计, 满足高性能电子设备对功率器件的严苛要求。

HUF76439P3-HXY特性

暂无产品特性。

HUF76439P3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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