HUF76407D3ST
IC
TO-252AA
可供量大可议
HUF76407D3ST
特性：超低导通电阻。 rDS(ON) = 0.092Ω， VGS = 10V。 rDS(ON) = 0.107Ω， VGS = 5V。 仿真模型。 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。 Spice和SABER热阻抗模型。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 开关时间与RGS曲线
品牌
onsemi
封装
TO-252AA
库存
16
货期
现货
HUF76407D3ST参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
HUF76407D3ST概述
特性：超低导通电阻。 rDS(ON) = 0.092Ω， VGS = 10V。 rDS(ON) = 0.107Ω， VGS = 5V。 仿真模型。 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。 Spice和SABER热阻抗模型。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 开关时间与RGS曲线
HUF76407D3ST特性
暂无产品特性。
HUF76407D3ST应用领域
暂无应用领域。