HUF76129D3ST-HXY

本产品为N沟道场效应管（MOSFET）， 具备20A的连续漏极电流能力， 漏源击穿电压VDSS为30V， 适用于中低压功率控制场景。 导通电阻RDON为15mΩ， 在保证性能的同时有助于降低功耗。 器件结构优化， 响应速度快， 适合用于电源开关、直流电机驱动、电池管理系统及高效能转换电路中， 满足多种通用功率应用需求。