HUF75652G3
IC
TO-247-3
可供量大可议
HUF75652G3
特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.008 Ω， VGS = 10 V。 温度补偿的PSPICE™和SABER™电气模型。 Spice和SABER热阻抗模型。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准
品牌
onsemi
封装
TO-247-3
库存
25
货期
现货
HUF75652G3参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
HUF75652G3概述
特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.008 Ω， VGS = 10 V。 温度补偿的PSPICE™和SABER™电气模型。 Spice和SABER热阻抗模型。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线。 该器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂， 符合RoHS标准
HUF75652G3特性
暂无产品特性。
HUF75652G3应用领域
暂无应用领域。