HUF75645P3
IC
TO-220AB
可供量大可议
HUF75645P3
特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.014Ω， VGS = 10V。 仿真模型：温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。 Spice和Saber热阻抗模型。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线
品牌
onsemi
封装
TO-220AB
库存
200
货期
现货
HUF75645P3参数
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
HUF75645P3概述
特性：超低导通电阻：rDS(ON) = 0.014Ω， VGS = 10V。 仿真模型：温度补偿的PSPICE和SABER电气模型。 Spice和Saber热阻抗模型。 峰值电流与脉冲宽度曲线。 UIS额定曲线
HUF75645P3特性
暂无产品特性。
HUF75645P3应用领域
暂无应用领域。