HUF75639P3

此类 N 沟道功率 MOSFET 是使用创新的 UltraFET 工艺生产的。 此先进工艺技术可实现每硅面积最低的导通电阻， 从而产生出色的性能。 此器件可承受雪崩模式下的高能量， 二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。 它适用于功率能效非常重要的应用， 如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关， 以及便携式和电池运行产品中的电源管理。