HUF75617D3ST-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为20安培， 漏源击穿电压达100伏， 导通电阻典型值为80毫欧。 器件凭借低导通损耗特性， 适用于大电流开关场景， 如高性能电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元， 能有效提升能量传输效率并降低热设计难度。