HUF75321D3ST
自营可供
IC
TO-252AA
HUF75321D3ST
此类 N 沟道功率 MOSFET 使用创新的 UltraFET 工艺生产。 此先进工艺技术可实现每单位硅面积最低的导通电阻， 从而产生出色的性能。 此器件可承受雪崩模式下的高能量， 二极管具有很短的逆向恢复时间和极低的存储电荷。 它适用于功率能效非常重要的应用， 如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关， 以及便携式和电池运行产品中的功率管理。 之前开发型号 TA75321。
品牌
onsemi
封装
TO-252AA
交期
现货
批次
—
HUF75321D3ST参数
| 封装 | TO-252AA |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 55V |
| 耗散功率(Pd) | 93W |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | HUF75321D3ST |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000419 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 680pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:55V 电流:20A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
HUF75321D3ST概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。 这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻, 从而带来出色的性能。 该器件能够承受雪崩模式下的高能量, 且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。 它专为对功率效率要求较高的应用而设计, 如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关, 以及便携式和电池供电产品的电源管理。
HUF75321D3ST特性
- 20A, 55V
- 仿真模型
- 温度补偿PSPICE和SABER模型
- 可从网上获取热阻SPICE和SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 单脉冲雪崩耐量(UIS)额定曲线
- TB334《表面贴装元件焊接到印刷电路板的指南》
- 所有产品均在ISO9000和QS9000质量体系认证下进行制造、组装和测试
HUF75321D3ST应用领域
- 开关稳压器
- 开关转换器
- 电机驱动器
- 继电器驱动器
- 低压总线开关
- 便携式和电池供电产品的电源管理