HT8KE5TB1-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
HT8KE5TB1-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)-B； N+N—Channel沟道； 100V； 12.1A； RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.8V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
10
货期
现货
HT8KE5TB1-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HT8KE5TB1-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)-B； N+N—Channel沟道； 100V； 12.1A； RDS(ON)=71(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.8V； 采用Trench技术
HT8KE5TB1-VB特性
暂无产品特性。
HT8KE5TB1-VB应用领域
暂无应用领域。