HT75NF75ASZ
IC
TO-263
可供量大可议
HT75NF75ASZ
特性：RDS(on) (Max 0.011 Ω)@VGS = 10V。 栅极电荷：典型值80 nC。 最高结温范围：175℃
品牌
HTCSEMI
封装
TO-263
库存
94
货期
现货
HT75NF75ASZ参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HTCSEMI(海天芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 94 |
HT75NF75ASZ概述
特性：RDS(on) (Max 0.011 Ω)@VGS = 10V。 栅极电荷：典型值80 nC。 最高结温范围：175℃
HT75NF75ASZ特性
暂无产品特性。
HT75NF75ASZ应用领域
暂无应用领域。