HT65NF06ASZ
IC
TO-263
可供量大可议
HT65NF06ASZ
特性：RDS(on) (Max 0.015 Ω)@VGS=10V。 栅极电荷 (典型值 25nC)。 最大结温范围 (175℃)
品牌
HTCSEMI
封装
TO-263
库存
55
货期
现货
HT65NF06ASZ参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HTCSEMI(海天芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55 |
HT65NF06ASZ概述
特性：RDS(on) (Max 0.015 Ω)@VGS=10V。 栅极电荷 (典型值 25nC)。 最大结温范围 (175℃)
HT65NF06ASZ特性
暂无产品特性。
HT65NF06ASZ应用领域
暂无应用领域。