HT65N23EVDRZ
IC
PDFN-8L(5x6)
可供量大可议
HT65N23EVDRZ
增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件
品牌
HTCSEMI
封装
PDFN-8L(5x6)
库存
1
货期
现货
HT65N23EVDRZ参数
| 封装 | PDFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HTCSEMI(海天芯) |
| 批次 | 25+ |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 155pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ |
| 分类 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 技术路线 | E-mode |
| 耗散功率(Pd) | 47W |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC |
| 反向传输电容(Crss) | 0.31pF |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
HT65N23EVDRZ概述
增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件
HT65N23EVDRZ特性
暂无产品特性。
HT65N23EVDRZ应用领域
暂无应用领域。