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HT55NF06ASZ
IC

TO-263-3

可供量大可议

HT55NF06ASZ

N沟道 MOSFET: RDS(on) (Max 0.018 Ω)@VGS=10V

品牌

HTCSEMI

封装

TO-263-3

库存

160

货期

现货

HT55NF06ASZ参数

封装TO-263-3
品牌HTCSEMI(海天芯)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存160

HT55NF06ASZ概述

N沟道 MOSFET: RDS(on) (Max 0.018 Ω)@VGS=10V

HT55NF06ASZ特性

暂无产品特性。

HT55NF06ASZ应用领域

暂无应用领域。

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