HT10P3H1S
IC
SOT-223
可供量大可议
HT10P3H1S
特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 应用：DC/DC转换器。 电源开关
品牌
R+O
封装
SOT-223
库存
4,968
货期
现货
HT10P3H1S参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4968 |
HT10P3H1S概述
特性：VDS = -100V。 I0 = -3.0A。 RDS(on)@VGS = -10V < 210mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 280mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计， 实现超低导通电阻。 应用：DC/DC转换器。 电源开关
HT10P3H1S特性
暂无产品特性。
HT10P3H1S应用领域
暂无应用领域。