HT10N2H8S
IC
SOT-223
可供量大可议
HT10N2H8S
特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
品牌
R+O
封装
SOT-223
库存
10,660
货期
现货
HT10N2H8S参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10660 |
HT10N2H8S概述
特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。 应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
HT10N2H8S特性
暂无产品特性。
HT10N2H8S应用领域
暂无应用领域。