HT10N1H2S
IC
SOT-223
可供量大可议
HT10N1H2S
特性：VDS = 100V。 ID = 4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 125mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
SOT-223
库存
6,090
货期
现货
HT10N1H2S参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6090 |
HT10N1H2S概述
特性：VDS = 100V。 ID = 4A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 125mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。 应用：电池保护。 负载开关
HT10N1H2S特性
暂无产品特性。
HT10N1H2S应用领域
暂无应用领域。