HT100NF80ASZ
IC
TO-263
可供量大可议
HT100NF80ASZ
特性：RDS(on) (最大 0.008 Ω)@VGS = 10V。 栅极电荷 (典型值 80 nC)。 最大结温范围 (175℃)
品牌
HTCSEMI
封装
TO-263
库存
478
货期
现货
HT100NF80ASZ参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HTCSEMI(海天芯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 478 |
HT100NF80ASZ概述
特性：RDS(on) (最大 0.008 Ω)@VGS = 10V。 栅极电荷 (典型值 80 nC)。 最大结温范围 (175℃)
HT100NF80ASZ特性
暂无产品特性。
HT100NF80ASZ应用领域
暂无应用领域。