HT06P1H7S
IC
SOT-223
可供量大可议
HT06P1H7S
特性：VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 应用：电池保护。 负载开关
品牌
R+O
封装
SOT-223
库存
9,570
货期
现货
HT06P1H7S参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9570 |
HT06P1H7S概述
特性：VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 应用：电池保护。 负载开关
HT06P1H7S特性
暂无产品特性。
HT06P1H7S应用领域
暂无应用领域。