HSiSH101DN

本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于中高功率电源管理系统。 导通电阻低至6.5mΩ（RDON）， 可有效降低导通损耗， 提高系统效率。 栅源电压（VGS）最大支持20V， 确保稳定控制性能。 该器件广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理及各类高效能电子设备中， 提供可靠且高效的功率控制解决方案。