HSiR804DP

此款N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的最大连续漏极电流（ID）与30V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于高电流需求的电路中。 其低至4.7毫欧的导通电阻（RDON）在20V栅源电压（VGS）条件下工作， 显著降低了功率损耗， 提高了能效。 该MOSFET适用于各种需要高效开关或调节电流的应用场合， 如电源转换、信号处理等领域， 确保了系统的稳定性和可靠性。