HSi3948DV

该场效应管（MOSFET）为N沟道增强型器件， 具有4.5A的连续漏极电流能力和30V的漏源电压耐受度。 其低导通电阻仅为29毫欧姆， 有助于减少功率损耗并提高效率。 栅源电压范围达到12V， 适合多种电路设计需求。 此款MOSFET凭借其优秀的电气特性和紧凑的设计， 在消费电子、家用电器以及电源管理等众多领域中有着广泛的应用。