HSi2308DS

这款N沟道MOSFET支持3A的连续漏极电流， 能够承受最高达60V的漏源电压。 其导通电阻为72毫欧姆， 保证了良好的电流传输效率。 栅源电压范围为20V， 适用于多种电子设备中的开关控制、电源管理和保护电路等应用场合。 该MOSFET以其紧凑的设计和可靠的性能， 成为消费电子产品及日常家用电器设计中的优选元件。