HSZESD8351HT1G
IC
SOD-323
可供量大可议
HSZESD8351HT1G
此款ESD静电保护二极管设计为单向类型, 针对单一通道优化, 可在3.3V电压下稳定工作。 凭借4A的峰值电流承受力, 确保电路免受静电放电损伤。 其0.6pF的低电容特性, 有助于减少信号延迟, 非常适合于保护高频传输应用中的敏感组件, 提升系统整体的抗扰度和可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
2,100
货期
现货
HSZESD8351HT1G参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2100 |
HSZESD8351HT1G概述
此款ESD静电保护二极管设计为单向类型, 针对单一通道优化, 可在3.3V电压下稳定工作。 凭借4A的峰值电流承受力, 确保电路免受静电放电损伤。 其0.6pF的低电容特性, 有助于减少信号延迟, 非常适合于保护高频传输应用中的敏感组件, 提升系统整体的抗扰度和可靠性。
HSZESD8351HT1G特性
暂无产品特性。
HSZESD8351HT1G应用领域
暂无应用领域。
