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HSZESD8351HT1G
IC

SOD-323

可供量大可议

HSZESD8351HT1G

此款ESD静电保护二极管设计为单向类型, 针对单一通道优化, 可在3.3V电压下稳定工作。 凭借4A的峰值电流承受力, 确保电路免受静电放电损伤。 其0.6pF的低电容特性, 有助于减少信号延迟, 非常适合于保护高频传输应用中的敏感组件, 提升系统整体的抗扰度和可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

2,100

货期

现货

HSZESD8351HT1G参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2100

HSZESD8351HT1G概述

此款ESD静电保护二极管设计为单向类型, 针对单一通道优化, 可在3.3V电压下稳定工作。 凭借4A的峰值电流承受力, 确保电路免受静电放电损伤。 其0.6pF的低电容特性, 有助于减少信号延迟, 非常适合于保护高频传输应用中的敏感组件, 提升系统整体的抗扰度和可靠性。

HSZESD8351HT1G特性

暂无产品特性。

HSZESD8351HT1G应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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