HSX80N20
IC
TO-247
可供量大可议
HSX80N20
HSX80N20是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSX80N20符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过抗雪崩能力（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-247
库存
23
货期
现货
HSX80N20参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
HSX80N20概述
HSX80N20是高性能沟槽型N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSX80N20符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过抗雪崩能力（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
HSX80N20特性
暂无产品特性。
HSX80N20应用领域
暂无应用领域。