HSW6800
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
HSW6800
HSW6800是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSW6800符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-23-6L
库存
2,500
货期
现货
HSW6800参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
HSW6800概述
HSW6800是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSW6800符合RoHS标准和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。
HSW6800特性
暂无产品特性。
HSW6800应用领域
暂无应用领域。