HSW6604
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
HSW6604
HSW6604 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSW6604 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-23-6L
库存
415
货期
现货
HSW6604参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 415 |
HSW6604概述
HSW6604 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSW6604 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 且通过了全功能可靠性认证。
HSW6604特性
暂无产品特性。
HSW6604应用领域
暂无应用领域。