HSW2N10D
IC
SOT-23-6L
可供量大可议
HSW2N10D
HSW2N10D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSW2N10D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 并已通过全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
SOT-23-6L
库存
295
货期
现货
HSW2N10D参数
| 封装 | SOT-23-6L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 295 |
HSW2N10D概述
HSW2N10D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET， 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 HSW2N10D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 并已通过全功能可靠性认证。
HSW2N10D特性
暂无产品特性。
HSW2N10D应用领域
暂无应用领域。