HSU80N03
IC
TO-252-2
可供量大可议
HSU80N03
HSU80N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET, 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSU80N03符合RoHS标准和绿色产品要求, 100%通过了抗雪崩能力(EAS)测试, 并经过了全面的功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-252-2
库存
1,495
货期
现货
HSU80N03参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1495 |
HSU80N03概述
HSU80N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET, 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 HSU80N03符合RoHS标准和绿色产品要求, 100%通过了抗雪崩能力(EAS)测试, 并经过了全面的功能可靠性认证。
HSU80N03特性
暂无产品特性。
HSU80N03应用领域
暂无应用领域。
