HSU6006
IC
TO-252-2
可供量大可议
HSU6006
HSU6006是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU6006符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过耐雪崩能量（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-252-2
库存
1,135
货期
现货
HSU6006参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1135 |
HSU6006概述
HSU6006是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET， 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU6006符合RoHS标准和绿色产品要求， 100%经过耐雪崩能量（EAS）测试， 且通过了全功能可靠性认证。
HSU6006特性
暂无产品特性。
HSU6006应用领域
暂无应用领域。