HSU4600
IC
TO-252-4L
可供量大可议
HSU4600
高性能互补N沟道和P沟道MOSFET， 具有高单元密度， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量（EAS）， 具备完整功能可靠性认证。 100% EAS保证； 提供绿色器件； 超低栅极电荷； 出色的CdV/dt效应抑制； 采用先进的高单元密度沟槽技术。
品牌
HUASHUO
封装
TO-252-4L
库存
30
货期
现货
HSU4600参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
HSU4600概述
高性能互补N沟道和P沟道MOSFET， 具有高单元密度， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩能量耐量（EAS）， 具备完整功能可靠性认证。 100% EAS保证； 提供绿色器件； 超低栅极电荷； 出色的CdV/dt效应抑制； 采用先进的高单元密度沟槽技术。
HSU4600特性
暂无产品特性。
HSU4600应用领域
暂无应用领域。