HSU3119
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HSU3119
HSU3119 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU3119 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩能量（EAS）测试， 且具备全面的功能可靠性认证。
品牌
HUASHUO
封装
TO-252-2L
库存
1,690
货期
现货
HSU3119参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1690 |
HSU3119概述
HSU3119 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET， 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSU3119 符合 RoHS 标准和绿色产品要求， 100%通过耐雪崩能量（EAS）测试， 且具备全面的功能可靠性认证。
HSU3119特性
暂无产品特性。
HSU3119应用领域
暂无应用领域。