HSU30P15
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HSU30P15
使用先进的沟槽MOSFET技术， 提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量， 具备完整功能可靠性认证。 100%保证雪崩耐量。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术
品牌
HUASHUO
封装
TO-252-2L
库存
2,503
货期
现货
HSU30P15参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2503 |
HSU30P15概述
使用先进的沟槽MOSFET技术， 提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷， 适用于各种其他应用。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证雪崩耐量， 具备完整功能可靠性认证。 100%保证雪崩耐量。 提供绿色环保器件。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术
HSU30P15特性
暂无产品特性。
HSU30P15应用领域
暂无应用领域。