HSU30N20
IC
TO-252
可供量大可议
HSU30N20
专有新型沟槽技术 RDS(ON) 典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V） 低栅极电荷， 可将开关损耗降至最低 快速恢复体二极管
品牌
HUASHUO
封装
TO-252
库存
2,623
货期
现货
HSU30N20参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2623 |
HSU30N20概述
专有新型沟槽技术 RDS(ON) 典型值 = 43 mΩ（VGS = 10 V） 低栅极电荷， 可将开关损耗降至最低 快速恢复体二极管
HSU30N20特性
暂无产品特性。
HSU30N20应用领域
暂无应用领域。