HSU18N20A
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HSU18N20A
是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证EAS， 具备完整功能可靠性认证。 超级低栅极电荷， 有绿色器件可选， 出色的Cdv/dt效应衰减， 采用先进的高单元密度沟槽技术。
品牌
HUASHUO
封装
TO-252-2L
库存
950
货期
现货
HSU18N20A参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HUASHUO(华朔) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 950 |
HSU18N20A概述
是高性能沟槽N沟道MOSFET， 具有极高的单元密度， 为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。 符合RoHS和绿色产品要求， 100%保证EAS， 具备完整功能可靠性认证。 超级低栅极电荷， 有绿色器件可选， 出色的Cdv/dt效应衰减， 采用先进的高单元密度沟槽技术。
HSU18N20A特性
暂无产品特性。
HSU18N20A应用领域
暂无应用领域。