HSU10N15

是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET， 为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 符合RoHS和绿色产品要求， 并通过了全功能可靠性认证。 具备绿色环保器件、超低栅极电荷、出色的Cdv/dt效应抑制能力， 采用先进的高单元密度沟槽技术。