HSTR2N2VH5

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有6A的漏极电流（ID）承载能力， 最大工作电压（VDSS）为20V， 适用于多种电子装置。 其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧， 在12V的栅源电压（VGS）条件下表现出色， 能够显著降低电力传输过程中的能量损失。 该MOSFET适用于消费类电子产品中的电源管理模块、便携设备的电池保护电路以及需高效能开关的应用场景， 是设计中实现高效率与稳定性的理想元件。