HSTPSC6H065D
IC
TO-220H-2L
可供量大可议
HSTPSC6H065D
这款碳化硅二极管具有6A的正向电流(IF), 并且能够承受650V的最大反向电压(VR), 适合用于需要耐受较高电压的应用中。 其正向电压(VF)为1.3V, 有助于在导通状态下减少能量损失。 反向漏电流(IR)限制在50微安, 体现了良好的绝缘特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)为48A, 使其可以在短时间内应对电流峰值。 该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H-2L
库存
18
货期
现货
HSTPSC6H065D参数
| 封装 | TO-220H-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
HSTPSC6H065D概述
这款碳化硅二极管具有6A的正向电流(IF), 并且能够承受650V的最大反向电压(VR), 适合用于需要耐受较高电压的应用中。 其正向电压(VF)为1.3V, 有助于在导通状态下减少能量损失。 反向漏电流(IR)限制在50微安, 体现了良好的绝缘特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)为48A, 使其可以在短时间内应对电流峰值。 该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。
HSTPSC6H065D特性
暂无产品特性。
HSTPSC6H065D应用领域
暂无应用领域。
