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HSTPSC6H065D
IC

TO-220H-2L

可供量大可议

HSTPSC6H065D

这款碳化硅二极管具有6A的正向电流(IF), 并且能够承受650V的最大反向电压(VR), 适合用于需要耐受较高电压的应用中。 其正向电压(VF)为1.3V, 有助于在导通状态下减少能量损失。 反向漏电流(IR)限制在50微安, 体现了良好的绝缘特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)为48A, 使其可以在短时间内应对电流峰值。 该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220H-2L

库存

18

货期

现货

HSTPSC6H065D参数

封装TO-220H-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存18

HSTPSC6H065D概述

这款碳化硅二极管具有6A的正向电流(IF), 并且能够承受650V的最大反向电压(VR), 适合用于需要耐受较高电压的应用中。 其正向电压(VF)为1.3V, 有助于在导通状态下减少能量损失。 反向漏电流(IR)限制在50微安, 体现了良好的绝缘特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM)为48A, 使其可以在短时间内应对电流峰值。 该二极管适用于追求高效能与可靠性的电路设计。

HSTPSC6H065D特性

暂无产品特性。

HSTPSC6H065D应用领域

暂无应用领域。

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