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HSTPSC4H065D
IC

TO-220H-2L

可供量大可议

HSTPSC4H065D

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF/A)和650V的反向电压(VR/V), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF/V)仅为1.3V, 在保证性能的同时降低了能耗。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 显示出良好的阻断特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达23A, 适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于多种电路保护及高效能转换场景中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220H-2L

库存

36

货期

现货

HSTPSC4H065D参数

封装TO-220H-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存36

HSTPSC4H065D概述

这款碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF/A)和650V的反向电压(VR/V), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF/V)仅为1.3V, 在保证性能的同时降低了能耗。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 显示出良好的阻断特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达23A, 适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于多种电路保护及高效能转换场景中。

HSTPSC4H065D特性

暂无产品特性。

HSTPSC4H065D应用领域

暂无应用领域。

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