HSTPSC4H065D
IC
TO-220H-2L
可供量大可议
HSTPSC4H065D
这款碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF/A)和650V的反向电压(VR/V), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF/V)仅为1.3V, 在保证性能的同时降低了能耗。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 显示出良好的阻断特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达23A, 适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于多种电路保护及高效能转换场景中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220H-2L
库存
36
货期
现货
HSTPSC4H065D参数
| 封装 | TO-220H-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 36 |
HSTPSC4H065D概述
这款碳化硅二极管具有4A的正向电流(IF/A)和650V的反向电压(VR/V), 能够在高压环境下稳定工作。 其正向压降(VF/V)仅为1.3V, 在保证性能的同时降低了能耗。 该二极管的反向漏电流(IR/uA)控制在50微安以下, 显示出良好的阻断特性。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达23A, 适合于需要承受短时大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于多种电路保护及高效能转换场景中。
HSTPSC4H065D特性
暂无产品特性。
HSTPSC4H065D应用领域
暂无应用领域。
