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HSTPSC20065DY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

HSTPSC20065DY

该碳化硅二极管具备高效能特性, 其正向平均电流IF为20A, 反向耐压VR达到650V, 确保在高电压环境下稳定工作。 正向电压降VF仅为1.5V, 有助于降低功耗和提高系统效率。 此外, 该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内, 非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A, 增强了过载保护能力。 适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

10

货期

现货

HSTPSC20065DY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存10

HSTPSC20065DY概述

该碳化硅二极管具备高效能特性, 其正向平均电流IF为20A, 反向耐压VR达到650V, 确保在高电压环境下稳定工作。 正向电压降VF仅为1.5V, 有助于降低功耗和提高系统效率。 此外, 该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内, 非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A, 增强了过载保护能力。 适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。

HSTPSC20065DY特性

暂无产品特性。

HSTPSC20065DY应用领域

暂无应用领域。

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