HSTPSC20065DY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
HSTPSC20065DY
该碳化硅二极管具备高效能特性, 其正向平均电流IF为20A, 反向耐压VR达到650V, 确保在高电压环境下稳定工作。 正向电压降VF仅为1.5V, 有助于降低功耗和提高系统效率。 此外, 该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内, 非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A, 增强了过载保护能力。 适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
10
货期
现货
HSTPSC20065DY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HSTPSC20065DY概述
该碳化硅二极管具备高效能特性, 其正向平均电流IF为20A, 反向耐压VR达到650V, 确保在高电压环境下稳定工作。 正向电压降VF仅为1.5V, 有助于降低功耗和提高系统效率。 此外, 该二极管的反向漏电流IR控制在100μA以内, 非重复峰值浪涌电流IFSM高达123A, 增强了过载保护能力。 适用于要求严苛、需要高性能半导体解决方案的多种场景。
HSTPSC20065DY特性
暂无产品特性。
HSTPSC20065DY应用领域
暂无应用领域。
