HSTPSC10H12D
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
HSTPSC10H12D
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.35伏特, 在高电流应用中能有效减少能量损失。 二极管的反向漏电流(IR/uA)在室温下测得为250微安, 显示出良好的阻断性能。 瞬态条件下的最大正向浪涌电流(IFSM/A)为71安培, 适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
19
货期
现货
HSTPSC10H12D参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
HSTPSC10H12D概述
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.35伏特, 在高电流应用中能有效减少能量损失。 二极管的反向漏电流(IR/uA)在室温下测得为250微安, 显示出良好的阻断性能。 瞬态条件下的最大正向浪涌电流(IFSM/A)为71安培, 适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。
HSTPSC10H12D特性
暂无产品特性。
HSTPSC10H12D应用领域
暂无应用领域。
