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HSTPSC10H12D
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

HSTPSC10H12D

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.35伏特, 在高电流应用中能有效减少能量损失。 二极管的反向漏电流(IR/uA)在室温下测得为250微安, 显示出良好的阻断性能。 瞬态条件下的最大正向浪涌电流(IFSM/A)为71安培, 适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

19

货期

现货

HSTPSC10H12D参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存19

HSTPSC10H12D概述

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.35伏特, 在高电流应用中能有效减少能量损失。 二极管的反向漏电流(IR/uA)在室温下测得为250微安, 显示出良好的阻断性能。 瞬态条件下的最大正向浪涌电流(IFSM/A)为71安培, 适用于需要短时间承受大电流冲击的应用场合。 此元件凭借其出色的电气特性, 适用于高频开关电源、逆变器以及其他需要高效能、高可靠性的电子产品中。

HSTPSC10H12D特性

暂无产品特性。

HSTPSC10H12D应用领域

暂无应用领域。

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