HSTPSC10H12BTR
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HSTPSC10H12BTR
这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR), 适用于需要承受高电压的应用。 其正向电压降(VF)为1.4V, 有助于减少热损耗。 该器件还表现出优秀的电性能, 包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力, 能够有效应对突发的大电流情况。 它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
123
货期
现货
HSTPSC10H12BTR参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 123 |
HSTPSC10H12BTR概述
这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR), 适用于需要承受高电压的应用。 其正向电压降(VF)为1.4V, 有助于减少热损耗。 该器件还表现出优秀的电性能, 包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力, 能够有效应对突发的大电流情况。 它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。
HSTPSC10H12BTR特性
暂无产品特性。
HSTPSC10H12BTR应用领域
暂无应用领域。
