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HSTPSC10H12BTR
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HSTPSC10H12BTR

这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR), 适用于需要承受高电压的应用。 其正向电压降(VF)为1.4V, 有助于减少热损耗。 该器件还表现出优秀的电性能, 包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力, 能够有效应对突发的大电流情况。 它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

123

货期

现货

HSTPSC10H12BTR参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存123

HSTPSC10H12BTR概述

这款碳化硅二极管拥有10A的正向平均电流(IF)能力和高达1200V的反向耐压(VR), 适用于需要承受高电压的应用。 其正向电压降(VF)为1.4V, 有助于减少热损耗。 该器件还表现出优秀的电性能, 包括仅100μA的低反向漏电流(IR)以及90A的非重复峰值浪涌电流(IFSM)能力, 能够有效应对突发的大电流情况。 它适合于那些要求高效能与稳定性的电力转换和管理电路中使用。

HSTPSC10H12BTR特性

暂无产品特性。

HSTPSC10H12BTR应用领域

暂无应用领域。

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