HSTPSC10H065D
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
HSTPSC10H065D
这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大平均正向电流(IF/A)可达10安培, 在反向电压(VR/V)为650伏特的情况下表现出色。 该二极管在正向导通时的电压降(VF/V)仅为1.5伏特, 有助于减少能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在60微安级别, 显示了良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)最高可承受90安培, 适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。 这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
8
货期
现货
HSTPSC10H065D参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 8 |
HSTPSC10H065D概述
这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大平均正向电流(IF/A)可达10安培, 在反向电压(VR/V)为650伏特的情况下表现出色。 该二极管在正向导通时的电压降(VF/V)仅为1.5伏特, 有助于减少能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在60微安级别, 显示了良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)最高可承受90安培, 适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。 这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。
HSTPSC10H065D特性
暂无产品特性。
HSTPSC10H065D应用领域
暂无应用领域。
