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HSTPSC10H065D
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

HSTPSC10H065D

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大平均正向电流(IF/A)可达10安培, 在反向电压(VR/V)为650伏特的情况下表现出色。 该二极管在正向导通时的电压降(VF/V)仅为1.5伏特, 有助于减少能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在60微安级别, 显示了良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)最高可承受90安培, 适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。 这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

8

货期

现货

HSTPSC10H065D参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存8

HSTPSC10H065D概述

这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性, 其最大平均正向电流(IF/A)可达10安培, 在反向电压(VR/V)为650伏特的情况下表现出色。 该二极管在正向导通时的电压降(VF/V)仅为1.5伏特, 有助于减少能量损耗。 其反向漏电流(IR/uA)控制在60微安级别, 显示了良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)最高可承受90安培, 适用于需要高可靠性和快速开关特性的场合。 这些特点使得该二极管成为高性能电路设计中的理想选择。

HSTPSC10H065D特性

暂无产品特性。

HSTPSC10H065D应用领域

暂无应用领域。

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