HSTPSC10H065BYTR

该款碳化硅二极管具备10A的正向电流（IF）， 能够承载较高的电流负载， 同时保持650V的反向击穿电压（VR）， 确保了在高压环境下的稳定性。 其正向电压（VF）为1.3V， 有助于减少能量损耗。 反向漏电流（IR）限制在50微安， 使得设备在非导通状态时几乎不消耗电能。 瞬态正向浪涌电流（IFSM）高达80A， 表明它可以在短时间内承受电流尖峰而不损坏。 这些特性使其非常适合用于要求高效转换和可靠性的高性能电路中。