HSTPSC10H065BTR
IC
TO-252-2L
可供量大可议
HSTPSC10H065BTR
这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR), 适用于多种高效率电源设计。 其正向电压降(VF)低至1.3V, 有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。 在标准工作条件下, 该二极管表现出色, 其反向漏电流(IR)仅为50μA, 确保了良好的电气性能。 此外, 支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 能够有效应对突发性的电流冲击, 适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
3
货期
现货
HSTPSC10H065BTR参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
HSTPSC10H065BTR概述
这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR), 适用于多种高效率电源设计。 其正向电压降(VF)低至1.3V, 有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。 在标准工作条件下, 该二极管表现出色, 其反向漏电流(IR)仅为50μA, 确保了良好的电气性能。 此外, 支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 能够有效应对突发性的电流冲击, 适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。
HSTPSC10H065BTR特性
暂无产品特性。
HSTPSC10H065BTR应用领域
暂无应用领域。
