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HSTPSC10H065BTR
IC

TO-252-2L

可供量大可议

HSTPSC10H065BTR

这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR), 适用于多种高效率电源设计。 其正向电压降(VF)低至1.3V, 有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。 在标准工作条件下, 该二极管表现出色, 其反向漏电流(IR)仅为50μA, 确保了良好的电气性能。 此外, 支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 能够有效应对突发性的电流冲击, 适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

3

货期

现货

HSTPSC10H065BTR参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存3

HSTPSC10H065BTR概述

这款碳化硅二极管具有10A的正向平均电流(IF)与650V的反向电压(VR), 适用于多种高效率电源设计。 其正向电压降(VF)低至1.3V, 有助于减少能量损耗并提高系统整体效能。 在标准工作条件下, 该二极管表现出色, 其反向漏电流(IR)仅为50μA, 确保了良好的电气性能。 此外, 支持高达80A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 能够有效应对突发性的电流冲击, 适合用于要求稳定性和耐用性的电源转换和控制电路中。

HSTPSC10H065BTR特性

暂无产品特性。

HSTPSC10H065BTR应用领域

暂无应用领域。

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