HSTPSC10065D
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
HSTPSC10065D
这款碳化硅二极管具备出色的电气特性， 其最大整流电流IF/A达到10A， 在反向电压VR/V高达650V的情况下， 正向电压降VF/V仅为1.5V， 表明其能量损耗较低。 反向漏电流IR/uA控制在60微安以下， 显示了良好的阻断能力。 瞬态峰值电流IFSM/A可达到90A， 适用于高频开关及需快速响应的应用场景中， 能有效提升电路效率并减少热损耗。 此款二极管凭借其优异性能， 适用于各种对效率与稳定性有要求的场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
4
货期
现货
HSTPSC10065D参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
HSTPSC10065D概述
这款碳化硅二极管具备出色的电气特性， 其最大整流电流IF/A达到10A， 在反向电压VR/V高达650V的情况下， 正向电压降VF/V仅为1.5V， 表明其能量损耗较低。 反向漏电流IR/uA控制在60微安以下， 显示了良好的阻断能力。 瞬态峰值电流IFSM/A可达到90A， 适用于高频开关及需快速响应的应用场景中， 能有效提升电路效率并减少热损耗。 此款二极管凭借其优异性能， 适用于各种对效率与稳定性有要求的场合。
HSTPSC10065D特性
暂无产品特性。
HSTPSC10065D应用领域
暂无应用领域。