HSTN101120B111
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HSTN101120B111
此款双向ESD静电保护二极管, 专为单一信号通路设计, 耐压12伏特, 峰值电流承受能力达5安培, 为电路板提供卓越的静电防护效果。 尽管电容值为10皮法, 它依然是众多电子设备中平衡信号传输与静电防护需求的理想选择, 确保系统在高静电环境下运行无忧。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
155
货期
现货
HSTN101120B111参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 155 |
HSTN101120B111概述
此款双向ESD静电保护二极管, 专为单一信号通路设计, 耐压12伏特, 峰值电流承受能力达5安培, 为电路板提供卓越的静电防护效果。 尽管电容值为10皮法, 它依然是众多电子设备中平衡信号传输与静电防护需求的理想选择, 确保系统在高静电环境下运行无忧。
HSTN101120B111特性
暂无产品特性。
HSTN101120B111应用领域
暂无应用领域。
