HSTL90N10F7

这款N沟道MOSFET拥有75A的连续漏极电流（ID）处理能力， 适用于高电流需求的应用场景。 其最大漏源电压（VDSS）为100V， 表明它可以在较高电压下稳定工作。 导通电阻（RDSON）低至7.3毫欧， 有助于在大电流通过时保持较低的功耗。 栅源电压（VGS）的最大值为20V， 确保了在多种控制信号下均能正常开启或关闭。 适用于高性能电源转换器、电机驱动以及其他需要高效能量传输的电子设备中。