HSTF7N65M2
IC
TO-220F(TO-220FP)
可供量大可议
HSTF7N65M2
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有7A的连续排水电流（ID/A）， 最大工作电压（VDSS/V）为650V， 导通电阻（RDSON/mR）为1200毫欧姆， 在栅源电压（VGS/V）可达30V的情况下， 保证了良好的开关性能。 此元件适用于需要高压处理的应用场合， 如电源管理、便携式设备的电池保护以及消费类电子产品中的开关模式电源转换器。 其高可靠性和稳定性使它成为设计中不可或缺的一部分。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F(TO-220FP)
库存
85
货期
现货
HSTF7N65M2参数
| 封装 | TO-220F(TO-220FP) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
HSTF7N65M2概述
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有7A的连续排水电流（ID/A）， 最大工作电压（VDSS/V）为650V， 导通电阻（RDSON/mR）为1200毫欧姆， 在栅源电压（VGS/V）可达30V的情况下， 保证了良好的开关性能。 此元件适用于需要高压处理的应用场合， 如电源管理、便携式设备的电池保护以及消费类电子产品中的开关模式电源转换器。 其高可靠性和稳定性使它成为设计中不可或缺的一部分。
HSTF7N65M2特性
暂无产品特性。
HSTF7N65M2应用领域
暂无应用领域。