HSTF10N65K3
IC
TO-220F(TO-220FP)
可供量大可议
HSTF10N65K3
此款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流（ID）和650V的最大漏源电压（VDSS）， 适用于需要高电压耐受能力的应用场景。 其导通电阻（RDSON）仅为0.86Ω， 在导通状态下可有效降低功耗。 该MOSFET设计有30V的最大栅源电压（VGS）， 确保了在各种工作条件下的可靠性能。 此元件适合用于一般电子产品中的电源管理、逆变电路以及便携式设备的电池保护等领域。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F(TO-220FP)
库存
8
货期
现货
HSTF10N65K3参数
| 封装 | TO-220F(TO-220FP) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
HSTF10N65K3概述
此款N沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流（ID）和650V的最大漏源电压（VDSS）， 适用于需要高电压耐受能力的应用场景。 其导通电阻（RDSON）仅为0.86Ω， 在导通状态下可有效降低功耗。 该MOSFET设计有30V的最大栅源电压（VGS）， 确保了在各种工作条件下的可靠性能。 此元件适合用于一般电子产品中的电源管理、逆变电路以及便携式设备的电池保护等领域。
HSTF10N65K3特性
暂无产品特性。
HSTF10N65K3应用领域
暂无应用领域。