HSTD46P4LLF6
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HSTD46P4LLF6
这款P沟道MOSFET场效应管， 拥有50A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源极耐压（VDSS）， 适合应用于需要大电流和中等电压条件下的电路中。 其极低的导通电阻（RDON）仅为10mΩ， 有助于减少能量损耗， 提高效率。 支持±20V的栅源电压（VGS）， 为设计者提供了广泛的电压操作范围。 该元件特别适用于要求高效能和低热生成的设备， 例如电源转换器、电池管理系统以及各类便携式电子设备中的开关应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
103
货期
现货
HSTD46P4LLF6参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 103 |
HSTD46P4LLF6概述
这款P沟道MOSFET场效应管， 拥有50A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源极耐压（VDSS）， 适合应用于需要大电流和中等电压条件下的电路中。 其极低的导通电阻（RDON）仅为10mΩ， 有助于减少能量损耗， 提高效率。 支持±20V的栅源电压（VGS）， 为设计者提供了广泛的电压操作范围。 该元件特别适用于要求高效能和低热生成的设备， 例如电源转换器、电池管理系统以及各类便携式电子设备中的开关应用。
HSTD46P4LLF6特性
暂无产品特性。
HSTD46P4LLF6应用领域
暂无应用领域。